في هذه الدراسة تم تحضيروصناعة كاشف كبريتيد البزموث بطريقة التحلل الكميائي الحراري عند درجة حرارة قاعدة ثابته (300℃) وبتراكيز مولارية مختلفة 0.01 , 0.015 , 0.02) M) على قواعد من الزجاج و السليكون أحادية التبلور (Single Crystal) من نوع n-type ذات إتجاهية بلورية عند المستوى (100) ومقاومية كهربائية (10 Ω.cm) و يتراوح سمك الغشاء بين (300-600 nm) .
تمت دراسة الخواص التركيبية والطوبوغرافية والبصرية للغشاء اذ اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية XRD ان اغشية Bi2S3 المحضرة متعددة التبلور وذات نظام معيني قائم (Orthorhombic) واعلى شدة كانت عند المستوي (031) , كما اظهرت النتائج البصرية ان قيم فجوة الطاقة تعتمد على التركيز المولاري حيث لوحظ ان قيم فجوة الطاقة تقل من 2.97ev الى 2.4 ev بزيادة التركيز المولاري , واظهر منحني النفاذية ان النفاذية تقل بزيادة التركيز المولاري كما ان منحني الامتصاصية اظهر نتيجه معاكسة لما هو في منحني النفاذية , وبينت دراسة الخصائص الكهربائية للاغشية المحضرة ان التوصيلية زادت بزيادة التركيز المولاري .
بينت نتائج القياسات الكهربائية (I-V) لكاشف Bi2S3/Si ان مقدار عامل المثالية يزداد بزيادة التركيز المولاري حيث تراوحت قيمته بين (3.9 – 4.7) , وبينت نتائج الاستجابة الطيفية في مدى الطول الموجي (400-850 nm) انها تزداد بزيادة الطول الموجي لحد معين ثم تقل بزيادةλ كما لوحظ ظهور قمتين للاستجابية الاولى عند الطول الموجي (600nm) لغشاء Bi2S3 والثانية عند الطول الموجي (800 nm) للسيليكون وكانت اعلى قيمة للاستجابية كانت 2.52 A/W عند التركيز 0.015 M , و تم حساب الكفاءة الكمية للكاشف و لوحظ زيادة الكفاءة الكمية بزيادة التركيز المولاري وايضا ظهور قمتين عند الطول الموجي (600 nm) وعند الطول الموجي (800 nm) .
وكذلك تم حساب الكشفية النوعية ولوحظ زيادة الكشفية بزيادة التركيز المولاري وان اعلى قيمة لها هي 4.6*109 (HZ1/2.W-1.cm) عند الطول الموجي 600 nm وبتركيز (0.015M) ..