الدراسات العليا / مناقشة اطروحة طالبة الدكتوراة (وسن ضياء حسين)
جرت المناقشة العلنية لطالبة (الدكتوراه) وسن ضياء حسين في قسم الفيزياء عن رسالتها الموسومة تصنيع الترانزستور تأثير المجال (SnO2: ZnO / P-Si) ودراسة خصائصه يوم الاربعاء المصادف 5-9-2018 على قاعة قسم الفيزياء وتتالف لجنة المناقشة من السادة :أ.د. مهدي حسن سهيل (رئيسا)و أ.د. زياد طارق الدهان (عضوا) و أ.د عباس فاضل عيسى (عضوا) وأ.م.د. عبدالله ابراهيم عبو (عضوا) و أ.م.د. انتصار هاتو هاشم (عضوا) و أ.م.د. رامز احمد الانصاري (مشرفا) و أ.م.د. حسين خزعل اللامي (مشرفا)
تم تحضير مزيج من SnO2: ZnO بنسبة خلط (1:1) على طبقة رقيقة من الزجاج والسيلكون باستخدام تقنية ترسيب الليزر النبضي (PLD) باستخدام الليزر من نوع Nd: YAG و بالطول ألموجي الأساسي 1064نانومتر للأغشية الرقيقة المودعة وطول الموجة الثانية المتناسق 532 نانو متر مع معدل تكرار (تردد) 6هرتز و مدة النبض 10نانوثا نية للأغشية الرقيقة من نوع SiO2 المترسبة كطبقة عازلة.
تظهر دراسات ألحيود باستخدام الأشعة السينية أن بنية المسحوق هي متعددة التبلور ذات البنية السداسية ل ZnO ، بينما كانت متعددة التبلور مع بنية رباعية الزوايا لـ SnO2 ، والأفلام الرفيعة SnO2: ZnO التي أعدتها بتقنيات PLD لها بنية متعددة البلورات ، ومن الواضح أن الفيلم موجه للغاية في الاتجاه (101). تظهر النتائج زيادة في حجم البلورة (D) مع زيادة طاقات الليزر من (500 إلى 800) مللي جول لجميع الأفلام بسبب نمو البلورات.
